ISSN: 2319-7293
Yasmeen Zaidan Dawood
En este trabajo, un grabado químico mejorado ultrasónicamente, para fabricar una capa de silicio poroso. La capa de silicio poroso se fabrica en silicio de orientación tipo p (111) utilizando una solución de HF y HNO3. Se descubrió que la estructura de la capa de PS en el Si tipo p se mejoró mediante ultrasonidos. Se desarrolla un grabado químico mejorado por ultrasonidos para fabricar material de silicio poroso (PS) luminiscente. Al aplicar un grabado mejorado por ultrasonidos, se pueden fabricar microcavidades de PS con factores de calidad mucho más altos. . El efecto es atribuible al cambio efectivo en la concentración de portadores de huecos libres. Se llevaron a cabo medidas de dispersión Raman en muestras de PS y silicio cristalino (c-Si) de tipo Pp orientado (111). La dispersión Raman del fonón óptico en PS mostró el desplazamiento hacia el rojo de la frecuencia del fonón, la ampliación y el aumento del modelo de asimetría del modo Raman al aumentar la potencia de EE. UU. Usando el modelo de confinamiento de fonones, el diámetro promedio de los nanocristales de Si se estimó en 9 nm y 10 nm para 30 W y 50 W. Se calcula la relación entre el ancho, el cambio y la asimetría de la línea Raman y concuerda bien con los datos experimentales disponibles.