Revista de Ciencias Teóricas y Computacionales
Acceso abierto

abstracto

Investigación principal de las propiedades estructurales, electrónicas y químicas de la PbX dopada con Sn (X=S, Se, Te)

Asghar Khan M, Zulfiqar Ali Shah, Jabran Khan, Yasir Arafat, Sikandar Hayat y Munawar Saeed

Los enlaces estructurales, electrónicos y químicos de la PbX dopada con Sn (X=S, Se, Te) son calculado por el método de onda plana aumentada linealizada de potencial completo (FP-LAPW) dentro de la teoría funcional de la densidad (DFT). Se utiliza la aproximación de gradiente generalizado de Wu y Cohen (WC-GGA) para calcular los efectos de correlación de intercambio. Los parámetros estructurales cambian con respecto al dopaje. Los cálculos muestran que la banda prohibida disminuye con el aumento de la concentración de Sn. Se ha observado que los estados s, p y d de PbX (X=S, Se, Te) controlan sus propiedades electrónicas. Las aleaciones Pb1–xSnxS, Pb1–xSnxSe y Pb1–xSnxTe muestran una naturaleza de enlace covalente que mejora al aumentar la concentración de Sn.