ISSN: 2155-983X
TVM Sreekanth y GR Dillip
El nitruro de carbono grafítico (g-C3N4) es un nuevo semiconductor de polímero sin metal que ha recibido una gran interés para una amplia gama de aplicaciones debido a su facilidad de síntesis, modificación, respeto por el medio ambiente, banda prohibida adecuada, mayor recolección de luz, propiedades electrónicas únicas y propiedades fisicoquímicas. Debido a estas propiedades, g-C3N4 se ha considerado como un fotocatalizador prometedor para la degradación de contaminantes orgánicos y la división del agua. El nitruro de carbono grafítico rico en nitrógeno (Ng-C3N4) con una actividad fotocatalítica mejorada se diseñó mediante un sencillo tratamiento posterior al recocido de g-C3N4 prístino en una atmósfera de N2. El recocido térmico no modificó la estructura cristalina, los modos de vibración o la morfología del g-C3N4 rico en N (Ng-C3N4). Sin embargo, disminuyó la cristalinidad al ampliar el pico dominante de difracción de rayos X (XRD) y aumentó el área superficial y la naturaleza mesoporosa debido a la formación de vacantes de carbono. La espectroscopia de reflectancia difusa indicó que la banda prohibida del g-C3N4 recocido disminuyó de 2,82 a 2,77 eV en comparación con el g-C3N4 prístino. El aumento del contenido de nitrógeno en el Ng-C3N4 recocido se cuantificó mediante espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS), que también se utilizó para examinar la formación de vacantes de carbono. Las mediciones de espectroscopia de impedancia electroquímica y de fotocorriente mostraron que el N g-C3N4 recocido tenía una mayor capacidad de absorción de luz que el g-C3N4 prístino. Se investigó el rendimiento fotocatalítico de las muestras para la degradación del cristal violeta (CV) bajo la irradiación de luz ultravioleta. La muestra recocida de Ng-C3N4 exhibió una fotodegradación de CV superior a la de g-C3N4 prístino