Revista de Tecnología de la Información e Ingeniería de Software
Acceso abierto

abstracto

Organización y operaciones de la memoria flash NAND

Novotný R*, Kadlec J y Kuchta R

Las memorias flash NAND son bien conocidas por su estructura sencilla, bajo costo y alta capacidad. Sus características típicas incluyen arquitectura, lectura secuencial y alta densidad. La memoria flash NAND es un tipo de memoria no volátil y tiene un bajo consumo de energía. El borrado de la memoria Flash NAND se basa en una base de bloques. Dado que las celdas en un chip de ceniza fallarán después de un número limitado de escrituras, la resistencia de escritura limitada es una característica clave de la memoria flash. Hay muchas causas de ruido, como perturbaciones de lectura o de programa, proceso de retención, fuga de carga, generación de atrapamiento, etc. Preferiblemente, todos los errores en el almacenamiento serían ajustados por el algoritmo ECC. La conclusión de todos los factores parásitos mencionados crea un conjunto de influencias externas e internas que afectan el comportamiento variable de la memoria en el tiempo. Preparar una revisión de todos los factores importantes que afectan la confiabilidad y la duración del ciclo de vida de las memorias flash NAND y fue nuestra principal motivación para este documento.