Revista de química física y biofísica
Acceso abierto
ISSN: 2161-0398
ISSN: 2161-0398
Christol P, Delmas M, Rossignol R y Rodríguez JB
La superred de InAs/GaSb (SL) es un sistema de material prometedor para detectores infrarrojos de alto rendimiento. Las propiedades eléctricas y ópticas se rigen directamente por la composición y la periodicidad de la celda de InAs/GaSb. En particular, varias estructuras con diferentes proporciones de espesor de InAs a GaSb en cada período SL pueden apuntar a la misma longitud de onda de corte y exhibir diferentes tipos de conductividad, tipo n o tipo p. En consecuencia, mediante el uso de períodos SL específicos, es posible diseñar un fotodiodo de pin infrarrojo de onda media sin dopar intencionalmente la estructura. Se reportan las caracterizaciones eléctricas y electro-ópticas de dicho dispositivo fabricado por epitaxia de haz molecular.