Revista de Ciencias Teóricas y Computacionales
Acceso abierto
ISSN: 2376-130X
ISSN: 2376-130X
Mahmood Bahar, Hamideh Eskandari y Naghi Shaban
La aplicación del silicio poroso (PSi) para dispositivos sensores de gas ha ganado una atención considerable en la última década. Este trabajo considera las características eléctricas de capas de PSi preparadas por grabado electroquímico. Encontramos que para obtener una mejor comprensión de las propiedades de absorción de la superficie PSi, es necesario saber cómo la morfología PSi depende de los parámetros de grabado. La estructura física de PSi, es decir, la porosidad y la distribución del tamaño de los poros se pueden controlar cambiando la concentración de ácido fluorhídrico, la densidad de corriente, la duración del anodizado y el tiempo de grabado en el procedimiento de anodizado. Describimos nuestro sistema de prueba para sensores de gas e investigamos el comportamiento eléctrico de las capas de PSi (tipo p) en gas N2 para diversas condiciones de fabricación. Los resultados muestran que la densidad de corriente aumenta significativamente a medida que se adsorbe el gas N2. Las mediciones de las características I-V se realizaron a presión atmosférica, temperatura ambiente y también con gas N2.