Revista Internacional de Avances en Tecnología
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abstracto

Diseño de bajo voltaje de umbral AlGaN/GaN Alta movilidad de electrones Transistores para conmutación de alta potencia y aplicaciones de lógica digital

Bhubesh Chander Joshi, Dinesh Kumar, Raj Kumar Tyagi, Chenna Dhanavantri

Los HEMT de AlGaN/GaN tienen un voltaje de umbral muy alto, lo que los hace inadecuados para dispositivos de potencia y aplicaciones de lógica digital. En este estudio, se ha desarrollado un modelo de polarización para el canal graduado AlGaN en transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de AlGaN/GaN dividiendo la región graduada en pequeños números de elementos, de composiciones constantes de aluminio. El modelo propuesto se amplía aún más para encontrar una expresión de la densidad de carga total debido a la carga de polarización que no desaparece dentro de la región graduada. Se obtiene un gas de electrones tridimensional (3DEG) en estructuras graduadas AlGaN/GaN HEMT. El voltaje de umbral previsto para los HEMT graduados es más bajo que en los HEMT convencionales. El voltaje de umbral del dispositivo graduado se puede adaptar aún más mediante el uso de diferentes composiciones de Al en la región graduada. La corriente máxima del canal en el dispositivo HEMT graduado es menor que el HEMT convencional. Sin embargo, con la clasificación en AlGaN, se puede cultivar con una mayor composición de Al en la capa de AlGaN y se puede mejorar el rendimiento de AlGaN/GaN HEMT clasificado.