Revista Internacional de Avances en Tecnología
Acceso abierto

abstracto

Diseño y simulación de MOSFET basados en High-K a nanoescala con electrodos de compuerta de metal y polisilicio

Shashank N, S Basak, RK Nahar

La tecnología de compuerta de metal/High-K está surgiendo como una sólida alternativa para reemplazar el dieléctricos de oxinitruro convencionales y puertas de polisilicio en MOSFET escalados para aplicaciones de alto rendimiento y baja potencia. Los problemas clave que complican el uso de materiales de alta k, como la reducción de la corriente de drenaje, la transconductancia y la movilidad, se resuelven reemplazando el polisilicio por una puerta metálica térmicamente estable y de baja función de trabajo. Se comparan las ventajas de usar high-k sobre los dieléctricos de SiO2 convencionales y la puerta de metal sobre la puerta de polietileno. Los resultados de la simulación muestran la reducción de la corriente de fuga de puerta en seis órdenes de magnitud para HfO2 – Estructuras de TiN comparadas con SiO2 – estructuras de polisilicio. De manera similar, también se encuentra que la oscilación por debajo del umbral (1/S) disminuye de 90,5 mV/década (para la estructura de SiO2 convencional) a 74,6 mV/década para la estructura de compuerta de metal de alta k.